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通过绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠形成存储堆叠结构。通过针对所述绝缘层和所述存储堆叠结构选择性地移除所述牺牲材料层来形成背面凹陷部。在形成金属填充材料层之前，在所述背面凹陷部中形成阻挡层堆叠，所述阻挡层堆叠包括晶体导电阻挡层和无定形阻挡层。...
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