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本公开提供了一种半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件包括：衬底；与衬底间隔开、在衬底表面上方横向延伸的半导体纳米结构；环绕半导体纳米结构的外周形成的栅堆叠。半导体纳米结构下方的栅堆叠部分包括彼此相对的第...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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