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公开了一种竖直型半导体器件及其制造方法以及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，竖直型半导体器件可以包括：设于衬底上的竖直有源区，包括依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层；绕沟道层的至少部分外周形成的栅堆叠；以及以下至少之一：针...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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