温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请的各个实施例涉及形成用于存储器的平坦的通孔顶面的方法以及由该方法产生的集成电路(IC)。在一些实施例中，在所述介电层中实施蚀刻以形成开口。形成覆盖介电层并且内衬于开口的衬垫层。形成覆盖介电层并且填充位于衬垫层上方的开口的剩余部分的下部...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。