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本发明公开了一种降低编程干扰的控制方法，所述方法应用于存储器件，所述方法包括：在预充电阶段，在所述存储器件的底栅上加载第一预设电位；在所述存储器件的P阱上加载第二预设电位；并且所述第一预设电位低于所述第二预设电位，以使所述存储器件的沟道孔的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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