温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请属于集成电路的薄膜制备领域，具体涉及一种原子层沉积设备，包括反应腔室、进气管、承载台、转速同步调节器以及电机；所述反应腔室一侧的下端设有进气口、另一侧的下端设有出气口；所述进气管竖直布设于所述反应腔室中，并与所述进气口连通，所述进气管...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。