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本实用新型提供一种半导体结构，包括：待处理结构，其上表面轮廓定义一突出部及一遮掩部，突出部具有一高于遮掩部的离子注入面，遮掩部具有一初始上表面，离子注入面与初始上表面位于待处理结构的同一侧，突出部还具有由初始上表面至离子注入面的突起高度；突...
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