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本实用新型为一种具有场板结构的发光二极管器件。该器件主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、场板结构层、电流扩展层和P‑型欧姆电极；所述的N...
该专利属于河北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北工业大学授权不得商用。

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