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实现30微米或更低间距EMIB的新方法技术
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文档序号:20244975
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本公开的实施例公开了用于实现30微米或更低间距EMIB的封装组件的技术和配置。一种封装衬底包括:包括位于其中的电布线特征和表面层的衬底主体以及位于所述表面层上的分别包括第一间距和第二间距的多个第一和第二接触点,其中,所述多个第一接触点和所述...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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