温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种介电质层中的空洞检测方法及半导体器件的制造方法，所述介电质层中的空洞检测方法包括：首先，提供一具有介电质层的衬底，所述介电质层中形成有多个导电接触插栓；然后，去除部分厚度的所述介电质层，以暴露出所述导电接触插栓部分高度的侧壁...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。