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本发明提供了MOS型功率器件及其制备方法。所述MOS型功率器件包括：衬底；阱区；源区；栅氧化层；栅电极；绝缘介质层；源区电极，其中，阱区的下表面设置有向下延伸的凸起部。由此，该MOS型功率器件具有足够深的阱深，可以保证充足的耐压余量，同时具...该专利属于比亚迪股份有限公司;深圳比亚迪微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪股份有限公司;深圳比亚迪微电子有限公司授权不得商用。