下载半导体装置的形成方法的技术资料

文档序号:20223564

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根据一些实施例,本发明提供用于形成基底制造的图案的技术的各种范例。在一范例中,方法包括接收基底。形成图案化光致抗蚀剂于基底上,图案化光致抗蚀剂具有定义于其中的沟槽。沉积电介质于图案化光致抗蚀剂上以及沟槽内,电介质从而使沟槽的宽度变窄以进一步...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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