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半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括交替地堆叠的水平导电图案和层间绝缘层；栅极图案，所述栅极图案在所述堆叠结构下方与所述堆叠结构的两端交叠，所述栅极图案彼此间隔开；以及沟道图案，所述沟道图案包括贯通所述堆叠...
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