温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供一种制造集成电路的方法。在半导体衬底上形成栅极堆叠。栅极堆叠包括电荷储存膜及上覆在电荷储存膜上的虚拟控制栅极。虚拟控制栅极包含第一材料。由第一材料形成虚拟栅极层，且虚拟栅极层被形成为覆盖半导体衬底及栅极堆叠。使虚拟栅极层凹陷至低于栅极堆...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。