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公开了一种3D存储器件的制造方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区域和辅助区域；刻蚀所述半导体结构以在核心区域形成沟道孔，在辅助区域形成虚拟孔和/或沟槽；在所述虚拟孔以及所述沟槽的底部形成氧化物层；在所述沟道孔的底部形成外延层...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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