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本申请涉及一种提高PVT法碳化硅单晶生长质量的方法，所述方法包括将长晶原料加热升华得到气态原料、气态原料经过气体流通区域在接收部形成晶体的步骤，调节所述气体流通区域的压力分布，以使得气体流通区域形成低压区和高压区，所述气态原料依次通过低压区...
该专利属于山东天岳先进材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进材料科技有限公司授权不得商用。

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