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本发明公开了一种表面离子印迹聚合物改性有机无机杂化整体柱的制备方法和应用。采用原位聚合的方式制得聚甲基三甲氧基硅烷有机无机杂化整体柱，然后通过在整体柱的硅烷氧基表面改性双键功能基，在其表面原位合成Gd...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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