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一种沟槽型功率器件，包括终端区和被终端区包围的元胞区；元胞区内包括多个元胞；元胞包括：第一导电类型重掺杂的硅衬底；第一导电类型轻掺杂的硅外延层；第二导电类型阱区；第一沟槽，贯穿第二导电类型阱区且延伸至硅外延层；第一沟槽内的主控制栅位于屏蔽栅...
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