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本发明涉及一种半导体器件的栅极结构及其制造方法，所述栅极结构包括：平面多晶硅栅；沟槽多晶硅栅，从所述平面多晶硅栅的边缘向下延伸形成环状结构；栅氧化层，设于所述沟槽多晶硅栅的周围；底部场氧，设于所述平面多晶硅栅下方，被环状的所述沟槽多晶硅栅包...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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