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公开了用于具有双侧金属化(MOBS)的半导体器件的背侧接触电阻减小的技术。在一些实施例中，本文描述的技术提供了恢复在制作背侧接触时本来存在的低接触电阻的方法，由此减少或消除了劣化晶体管性能的寄生外部电阻。在一些实施例中，该技术包括增加在背侧...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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