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本发明提供了半导体器件及其制作方法、半导体器件测试方法，用作探测区的第二导电部巧妙设计于切割道内，不占用功能区，用作探测区的第二导电部与插塞上方的第一导电部位于同一层且相互错开，如此一来,在纵向上用作探测区的第二导电部正下方没有分布插塞，避...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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