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本发明公开了一种超结器件，设置有环绕在电荷流动区周侧的保护环氧化膜，过渡区中接触孔的高宽比大于等于电荷流动区中接触孔的高宽比，采用钨塞工艺填充同时实现不同高宽比的接触孔的可靠填充，P型阱的宽度小于P型柱的宽度，在P型阱和N型区域之间形成缓变...
该专利属于深圳尚阳通科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳尚阳通科技有限公司授权不得商用。

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