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本发明提供一种高存储容量的三维键合传感器及其制造方法，属于集成电路技术领域，包括：提供一第一晶圆结构和一第二晶圆结构，第一晶圆结构包括第一硅衬底、传感器的逻辑控制模块、SRAM模块、3D NAND的外围电路及3D NAND的存储单元阵列，逻...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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