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本申请公开了一种存储器结构及其制造方法，该制造方法包括：对半导体衬底进行掺杂，形成第一掺杂区和第二掺杂区；在半导体衬底的第一表面上形成第一阵列叠层，第一阵列叠层具有多个第一存储单元，每个第一存储单元包括第一栅极导体与第一沟道柱的一部分；在半...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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