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一种3D‑NAND闪存，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交错层叠的若干层绝缘层和若干层导电层；贯穿所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括高K栅介质层和沟道牺牲层，所述高K栅介质层在垂直于半导体衬底的方向上...
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