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本申请涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。在包括非易失性存储器的半导体器件中，未选定位的存储器晶体管的信息在信息写入操作期间被意外擦除。阱区被提供在SOI衬底中限定的块体区的存储器区中。具有LDD区和扩散层的存储器晶体管被提供在所述阱区中...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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