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本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。所述3D存储器件包括：第一阵列结构，第一阵列结构包括第一衬底、位于第一衬底上的第一栅叠层结构、以及贯穿第一栅叠层结构的多个第一沟道柱；第二阵列结构，堆叠在第一阵列结构上方，第二阵列结构包括第二衬底、...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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