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本公开涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。根据一个实施例，半导体器件1包括：形成在彼此不同的区域中的浅P阱21、浅N阱22、浅P阱23和浅N阱24、形成在比浅P阱21和浅N阱22深的一部分中的深N阱20、以及基材34，并且还包括：形成在...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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