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本发明公开一种适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，包括：硅基衬底；N阱和P阱，设置在硅基衬底上，并在界面处设置P型重掺杂区；第一P型重掺杂区与第一N型重掺杂区，间隔设置在N阱上，并在之间设置第一浅沟槽隔离；第二P型重掺杂区与第二...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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