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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法。本发明在第二晶圆的第二金属层上方形成统一金属层，所述统一金属层与所述第二金属层电连接，并且，所述统一金属层与所述第一金属层的材质相同，如此一来，后续形成的TSV孔同时暴露出的统一金属层和第一金属层材质...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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