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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法。在所述半导体器件中，隔离层至少覆盖第一开孔的侧面，一方面，隔离层在干法刻蚀以暴露第一金属层和第二金属层的工艺中，防止过刻蚀反溅的第一金属层和第二金属层扩散到第一衬底；另一方面，隔离层作为阻挡层，防止互...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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