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本发明提供了半导体器件制作方法，第一开孔和第二开孔是纵向分离的，通过互连层使的第一金属层和第二金属层电连接，不再受TSV嵌套孔横向制程的限制约束，提高了晶圆设计的灵活性。本发明中采用图形化的第一光阻层填充第一开孔(该第一开孔为浅孔)，解决了...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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