温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，在闪存单元栅极结构和外围逻辑区栅极完成刻蚀后，进行如下步骤：步骤一，在闪存单元栅极结构的侧面和顶面形成一氧化硅层；步骤二，在氧化层外侧形成氮化硅层；步骤三，进行源极刻蚀；步骤四，将栅极...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。