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本发明涉及一种纳米带的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在基板表面设置一半导体薄膜，在半导体薄膜表面设置间隔的条状掩模块，厚度为H，间隔距离为L；向半导体薄膜表面沉积第一薄膜层，第一薄模层的厚度为D，沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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