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本公开涉及制造半导体器件的方法，以提高半导体器件的可靠性。抗蚀剂图案形成在半导体衬底之上。然后，在半导体衬底之上，以覆盖抗蚀剂图案的这种方式形成保护膜。然后，通过用保护膜覆盖抗蚀剂图案，杂质被离子注入到半导体衬底中。此后，通过湿蚀刻去除保护...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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