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本申请涉及半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件1包括：包括上表面的半导体衬底50；沟槽电极22，设置在形成在上表面上的沟槽20内；以及沟槽绝缘膜21，设置在沟槽电极22和半导体衬底50之间。半导体衬底50包括：第一导电类型的第一半...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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