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公开了一种半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括单元阵列区域和外围电路区域。该单元阵列区域包括多个电极结构和多个垂直结构，该多个电极结构包括依次堆叠在体导电层上的多个电极，该多个垂直结构穿透电极结构并且连接到体导电层。外围电路区域...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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