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本发明涉及一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器及其制备方法，所述短沟道有机晶体管多级光存储器包括层叠设置的衬底、栅极、电荷阻挡层、浮栅层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层以及漏极；所述网状源极、有机半导体层和漏极形成三明治堆叠...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

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