【技术实现步骤摘要】
一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器及其制备方法
本专利技术涉及有机光电材料领域，特别是一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器及其制备方法。
技术介绍
随着有机电子技术的飞速发展，其在新型消费电子领域的应用也在不断发展当中。浮栅型有机晶体管型存储器作为有机电子器件中的基础元件，其在有机电子器件中扮演了重要的角色。在众多类型的有机存储器中，浮栅型有机晶体管型存储器具有许多独特的优点，比如其工作机制完善、无损读取、稳定的数据保持能力、超高的存储密度、结构与集成电路兼容等。在浮栅型有机晶体管型存储器中，通过施加写和擦电压来控制晶体管阈值电压的漂移，从而导致器件出现了开态和关态，其分别对应逻辑电路中的“1”和“0”。在施加写和擦电压之后阈值电压漂移量的大小称为记忆窗，开态和关态电流之比称为记忆比，器件的开态和关态电流随循环次数的增加所表现的稳定性称为耐久特性，器件阈值电压（或开态和关态电流）随时间变化所表现出来的稳定性称为保持特性；记忆窗，记忆比，耐久特性和保持特性为非易失性浮栅有机晶体管型存储器的重要性能表征。在过去的一段时间中，大量的研究工作都是在寻找电荷捕获能力更...
【技术保护点】
1.一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器，其特征在于，所述短沟道有机晶体管多级光存储器包括层叠设置的衬底、栅极、电荷阻挡层、浮栅层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层以及漏极；所述有机半导体层和源极接触电极均设置在网状源极表面，其中漏极设置在有机半导体层上，所述网状源极、有机半导体层和漏极形成三明治堆叠结构，网状源极和漏极的重叠区域为器件的有效沟道面积，有机半导体层的厚度为器件的沟道长度，通过控制有机半导体层的厚度即可以实现短沟道有机晶体管的制备；根据有机半导体层对不同波长光的吸收能力不同，采用不同波长的光照对器件进行编写实现器件的多级存储。
【技术特征摘要】
1.一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器，其特征在于，所述短沟道有机晶体管多级光存储器包括层叠设置的衬底、栅极、电荷阻挡层、浮栅层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层以及漏极；所述有机半导体层和源极接触电极均设置在网状源极表面，其中漏极设置在有机半导体层上，所述网状源极、有机半导体层和漏极形成三明治堆叠结构，网状源极和漏极的重叠区域为器件的有效沟道面积，有机半导体层的厚度为器件的沟道长度，通过控制有机半导体层的厚度即可以实现短沟道有机晶体管的制备；根据有机半导体层对不同波长光的吸收能力不同，采用不同波长的光照对器件进行编写实现器件的多级存储。2.根据权利要求1所述的一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器，其特征在于：所述衬底是硬性衬底或柔性衬底。3.根据权利要求1所述的一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器，其特征在于：所述栅极材料为金、银或铝，采用热蒸发的方法制备；或者是氧化铟锡，采用溅射的方式制备；栅极厚度为20nm至150nm。4.根据权利要求1所述的一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器，其特征在于：所述电荷阻挡层材料为绝缘氧化物材料，通过原子层沉积的方式制备，其厚度为30nm至150nm。5.根据权利要求1所述的一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器，其特征在于：所述浮栅层为掺有量子点材料的有机绝缘聚合物薄膜，所采用的材料为通过量子点溶液与有机绝缘聚合物溶液按照预设比例混合而成，具体是：将有机绝缘聚合物材料溶解于有机溶剂中，溶解完全后，获取所述有机绝缘聚合物溶液；将量子点材料溶解于溶剂中，溶解完全后，获取所述量子点溶液；将所述有机绝缘聚合物溶液与所述量子点溶液按照预设比例混合；所述量子点溶液的溶剂与所述有机绝缘聚合物溶液的有机溶剂互溶；掺有量子点材料的有机绝缘聚合物薄膜通过旋涂、刮涂或打印的方式制备，其厚度为80nm至120nm。6.根据权利要求1所述的一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器，其特征在于：所述隧穿层为绝缘氧化物薄膜，通过原子层沉积的方式制备，厚度为2nm至10nm。7.根据权利要求1所述的一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器，其特征在于：所述网状源极为能形成网格结...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈惠鹏，郭太良，胡道兵，巫晓敏，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建,35
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