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本发明公开一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基底、栅介电层、栅极、漏极以及源极。基底具有剖面为V形的沟槽。栅介电层位于基底上。栅介电层在沟槽的侧壁上具有第一厚度，且在沟槽外的基底上具有第二厚度。第一厚度大于第二厚度。栅极位于栅介电层...
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