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本发明提供一种基于SOI CMOS的电子器件、制备方法以及剥离方法，基于SOI CMOS的电子器件上设有多个剥离槽，所述剥离槽贯穿所述基于SOI CMOS的电子器件，不仅便于基于SOI CMOS的电子器件的制造，而且在减少弯折时的应力，防止...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。

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