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本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。使用氮化物半导体的半导体器件的特性得到改善。本发明的半导体器件包括缓冲层、沟道层、势垒层、台面型2DEG溶解层、源电极、漏电极、形成在台面型2DEG溶解层上的栅极绝缘膜、以及上覆栅电极。半导体器件...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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