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一种非对称模式扩展小发散角半导体激光器，包括：衬底；缓冲层，形成于衬底之上；模式扩展层，形成于缓冲层之上；空间层，形成于模式扩展层之上；N型限制层，形成于空间层之上；下波导层，形成于N型限制层上；有源区，形成于下波导层上；上波导层，形成于有...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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