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本发明提出一种MOSFET栅氧化层电容校准结构，包括：有源区本体；栅极，位于所述有源区本体之上；源极和漏极，位于所述有源区本体的两端，且所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧；阱区，位于所述有源区本体和栅极外侧，所述阱区上设置有接触孔。本...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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