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描述了用于光刻边缘放置误差提前矫正的对齐节距四等分图案化方式。例如，一种制作半导体结构的方法包括在半导体衬底上形成第一图案化硬掩模。第二硬掩模层在半导体衬底上形成。分开的二嵌段共聚物在第一图案化硬掩模上并且在第二硬掩模层上形成。第二聚合物嵌...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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