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揭示了一种用于限定垂直晶体管器件中的沟道区的方法。该方法包括在衬底上提供由第一层(501)、第二层(502)和第三层(503)的堆叠形成的鳍(504、505、506)，其中第二层被置于第一层以上，并且第三层被置于第二层以上，选择性地在该鳍的...
该专利属于IMEC非营利协会;布鲁塞尔自由大学所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会;布鲁塞尔自由大学授权不得商用。

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