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本发明涉及一种形成三维存储器的方法以及三维存储器。该三维存储器包括衬底、位于所述衬底上的沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和间隔层、沿与所述衬底垂直的方向贯穿所述交替层叠的栅极层和间隔层的沟道孔、位于所述沟道孔内的沟道层以及接触所述沟道...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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