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公开了一种3D存储器件，包括：衬底；位于所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个导体层和多个绝缘层；贯穿所述叠层结构的多个沟道结构；位于所述沟道结构下方且具有平坦表面的半导体层；所述沟道结构在所述半导体层上表面处的孔径小于所述半...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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