温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法，该晶体管包括：半导体衬底；沟道区，形成于所述半导体衬底上；P型源区，形成于所述半导体衬底上，位于所述沟道区的第一侧，所述P型源区具有P...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。