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本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明是为了提高半导体器件的性能。半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底中的p型阱区域、形成在p型阱区域上方的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上方的半导体层、形成在半导体层上方的第二绝缘层以及形成在第二绝缘...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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